casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2222AUB
codice articolo del costruttore | JAN2N2222AUB |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2222AUB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/255 |
JAN2N2222AUB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Non-Standard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2222AUB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2222AUB-FT |
2N5840
Microsemi Corporation
2N5868
Microsemi Corporation
2N5872
Microsemi Corporation
2N5874
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
2N5883
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
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