casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / S1JVNJD2873T4G
codice articolo del costruttore | S1JVNJD2873T4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1JVNJD2873T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JVNJD2873T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 1.68W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JVNJD2873T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JVNJD2873T4G-FT |
2N5781
Microsemi Corporation
2N5782
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2N5783
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2N5784
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2N5785
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2N5872
Microsemi Corporation
2N5874
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AT6010A-4AC
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Xilinx Inc.
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AGL600V2-FGG256
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Intel
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10AX027E1F27E1HG
Intel