casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXMP10A17GTA
codice articolo del costruttore | ZXMP10A17GTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXMP10A17GTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMP10A17GTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 424pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMP10A17GTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXMP10A17GTA-FT |
DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
DMG7401SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3029LFG-7
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel