casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMT6015LFV-13
codice articolo del costruttore | DMT6015LFV-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT6015LFV-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6015LFV-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1103pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6015LFV-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT6015LFV-13-FT |
DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH8012LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMN7022LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel