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Diodes Incorporated DMT8012LFG-7

Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7
Price: 0.367072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (555 reviews)

Numero parte MFG: DMT8012LFG-7

quantità disponibile: 64610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.367072

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMT8012LFG-7.pdf

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DMT8012LFG-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMT8012LFG-7
Numero di parte futuro	FT-DMT8012LFG-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMT8012LFG-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT8012LFG-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMT8012LFG-7-FT

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