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Diodes Incorporated DMN3029LFG-7

Name: DMN3029LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3029LFG-7
Availability: InStock
Rating: 4.8 (761 reviews)

Numero parte MFG: DMN3029LFG-7

quantità disponibile: 79490 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN3029LFG-7.pdf

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DMN3029LFG-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN3029LFG-7
Numero di parte futuro	FT-DMN3029LFG-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN3029LFG-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3029LFG-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN3029LFG-7-FT

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