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Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7

Name: DMN10H170SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SFG-7
Availability: InStock
Rating: 4.6 (456 reviews)

Numero parte MFG: DMN10H170SFG-7

quantità disponibile: 78100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN10H170SFG-7.pdf

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DMN10H170SFG-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN10H170SFG-7
Numero di parte futuro	FT-DMN10H170SFG-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN10H170SFG-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.9nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	870.7pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	940mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H170SFG-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN10H170SFG-7-FT

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