casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZVP2106AS
codice articolo del costruttore | ZVP2106AS |
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Numero di parte futuro | FT-ZVP2106AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVP2106AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 18V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP2106AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZVP2106AS-FT |
VP2206N3-G-P003
Microchip Technology
ZVP4424A
Diodes Incorporated
VN3205N3-G-P002
Microchip Technology
2N7000,126
NXP USA Inc.
2N7000G
ON Semiconductor
2N7008
ON Semiconductor
BS107PSTOA
Diodes Incorporated
BS107PSTOB
Diodes Incorporated
BS108,126
NXP USA Inc.
BS108/01,126
NXP USA Inc.