casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BS108,126
codice articolo del costruttore | BS108,126 |
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Numero di parte futuro | FT-BS108,126 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS108,126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS108,126 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BS108,126-FT |
TN0104N3-G
Microchip Technology
LP0701N3-G
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VN0106N3-G
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VN2406L-G
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TP0606N3-G
Microchip Technology
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel