casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BS107PSTOA
codice articolo del costruttore | BS107PSTOA |
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Numero di parte futuro | FT-BS107PSTOA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS107PSTOA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.6V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
Pacchetto / caso | E-Line-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS107PSTOA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BS107PSTOA-FT |
LND150N3-G
Microchip Technology
TP2104N3-G
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LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
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XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
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