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NXP USA Inc. BS108/01,126

Numero parte MFG
BS108/01,126
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14840 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BS108/01,126
Numero di parte futuro FT-BS108/01,126
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BS108/01,126 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BS108/01,126 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BS108/01,126-FT

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