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NXP USA Inc. BS108/01,126

Name: BS108/01,126
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BS108/01,126
Availability: InStock
Rating: 4.9 (722 reviews)

Numero parte MFG: BS108/01,126

quantità disponibile: 14840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BS108/01,126.pdf

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BS108/01,126 specificazioni

codice articolo del costruttore	BS108/01,126
Numero di parte futuro	FT-BS108/01,126
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BS108/01,126 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BS108/01,126 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BS108/01,126-FT

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