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Microchip Technology VP2206N3-G-P003
- Numero parte MFG
- VP2206N3-G-P003
- quantità disponibile
- 90230 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.236
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microchip Technology
- Breve descrizione
- - MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- VP2206N3-G-P003.pdf
VP2206N3-G-P003 specificazioni
| codice articolo del costruttore | VP2206N3-G-P003 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-VP2206N3-G-P003 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| VP2206N3-G-P003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 640mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VP2206N3-G-P003 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | VP2206N3-G-P003-FT |
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