casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMH4NTN
codice articolo del costruttore | UMH4NTN |
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Numero di parte futuro | FT-UMH4NTN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMH4NTN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMH4NTN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMH4NTN-FT |
FMG4AT148
Rohm Semiconductor
FMG6AT148
Rohm Semiconductor
FMA10AT148
Rohm Semiconductor
FMA11AT148
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FMA7AT148
Rohm Semiconductor
FMA8AT148
Rohm Semiconductor
FMC3AT148
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FMG5AT148
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FMG9AT248
Rohm Semiconductor
EMB11FHAT2R
Rohm Semiconductor
LCMXO640E-5T144C
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XC3S1000L-4FGG320C
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XC6SLX25-L1FGG484C
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EP2C35F672C7
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EPF10K200SFC484-2N
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APA075-TQG100I
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LCMXO2-2000HE-6FTG256I
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10M02SCU324C8G
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