casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / TSC966CT A3G
codice articolo del costruttore | TSC966CT A3G |
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Numero di parte futuro | FT-TSC966CT A3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSC966CT A3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSC966CT A3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSC966CT A3G-FT |
2SC3328-Y,T6CKF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel