casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / TSC966CT A3G
codice articolo del costruttore | TSC966CT A3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TSC966CT A3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSC966CT A3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSC966CT A3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSC966CT A3G-FT |
2SC3328-Y,T6CKF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4604,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI240-3
Intel
EPF10K10QC208-4
Intel
EP1S40F1020C5
Intel