casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2206(TE6,F,M)
codice articolo del costruttore | 2SD2206(TE6,F,M) |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2206(TE6,F,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2206(TE6,F,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206(TE6,F,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2206(TE6,F,M)-FT |
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6DW,F,M)
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XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
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5AGXFA7H4F35I3N
Intel