casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3328-Y,T6CKF(J
codice articolo del costruttore | 2SC3328-Y,T6CKF(J |
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Numero di parte futuro | FT-2SC3328-Y,T6CKF(J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC3328-Y,T6CKF(J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3328-Y,T6CKF(J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC3328-Y,T6CKF(J-FT |
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC6VCX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXMA4K3F40I4N
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EPF10K10AQC208-3N
Intel