casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2206(T6CNO,A,F)
codice articolo del costruttore | 2SD2206(T6CNO,A,F) |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2206(T6CNO,A,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2206(T6CNO,A,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206(T6CNO,A,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2206(T6CNO,A,F)-FT |
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel