casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2206(T6CANO,F,M
codice articolo del costruttore | 2SD2206(T6CANO,F,M |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2206(T6CANO,F,M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2206(T6CANO,F,M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206(T6CANO,F,M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2206(T6CANO,F,M-FT |
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation