casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN1110ENH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPN1110ENH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPN1110ENH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN1110ENH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN1110ENH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN1110ENH,L1Q-FT |
TK560P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3P50D,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RDS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel