casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK560P60Y,RQ
codice articolo del costruttore | TK560P60Y,RQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK560P60Y,RQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSV |
TK560P60Y,RQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK560P60Y,RQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK560P60Y,RQ-FT |
2SK2989,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK040N65Z,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
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EP3C120F780I7
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EPF8452AQC160-3
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5SGSMD3H2F35C1N
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