casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK12P60W,RVQ
codice articolo del costruttore | TK12P60W,RVQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK12P60W,RVQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK12P60W,RVQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12P60W,RVQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK12P60W,RVQ-FT |
2SK3670,F(J
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