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Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ

Numero parte MFG
TK12P60W,RVQ
quantità disponibile
39210 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK12P60W,RVQ specificazioni

codice articolo del costruttore TK12P60W,RVQ
Numero di parte futuro FT-TK12P60W,RVQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK12P60W,RVQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12P60W,RVQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK12P60W,RVQ-FT

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