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Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3,RQ(S

Name: TJ15P04M3,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TJ15P04M3,RQ(S
Price: 0.26564 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (321 reviews)

Numero parte MFG: TJ15P04M3,RQ(S

quantità disponibile: 57250 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.26564

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TJ15P04M3,RQ(S.pdf

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TJ15P04M3,RQ(S specificazioni

codice articolo del costruttore	TJ15P04M3,RQ(S
Numero di parte futuro	FT-TJ15P04M3,RQ(S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI
TJ15P04M3,RQ(S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	29W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ15P04M3,RQ(S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TJ15P04M3,RQ(S-FT

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