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Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1,RQ(S

Name: TK20P04M1,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK20P04M1,RQ(S
Price: 0.28072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (68 reviews)

Numero parte MFG: TK20P04M1,RQ(S

quantità disponibile: 74080 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.28072

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK20P04M1,RQ(S.pdf

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TK20P04M1,RQ(S specificazioni

codice articolo del costruttore	TK20P04M1,RQ(S
Numero di parte futuro	FT-TK20P04M1,RQ(S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TK20P04M1,RQ(S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK20P04M1,RQ(S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK20P04M1,RQ(S-FT

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