casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK8Q65W,S1Q
codice articolo del costruttore | TK8Q65W,S1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TK8Q65W,S1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK8Q65W,S1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8Q65W,S1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK8Q65W,S1Q-FT |
TK16E60W,S1VX
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TK30E06N1,S1X
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5SGXEA5K1F35I2N
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