casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK16E60W,S1VX
codice articolo del costruttore | TK16E60W,S1VX |
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Numero di parte futuro | FT-TK16E60W,S1VX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK16E60W,S1VX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK16E60W,S1VX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK16E60W,S1VX-FT |
SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHJ10N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ415EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3
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SQJ872EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA37EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation