casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK5Q60W,S1VQ
codice articolo del costruttore | TK5Q60W,S1VQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK5Q60W,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK5Q60W,S1VQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK5Q60W,S1VQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK5Q60W,S1VQ-FT |
TK30E06N1,S1X
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TK58E06N1,S1X
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TK14E65W,S1X
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TK10E60W,S1VX
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TK12E60W,S1VX
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TK20E60W,S1VX
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TK25E60X,S1X
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TK25E60X5,S1X
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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