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Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W,S1VQ

Numero parte MFG
TK31J60W,S1VQ
quantità disponibile
99050 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 6.76
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK31J60W,S1VQ specificazioni

codice articolo del costruttore TK31J60W,S1VQ
Numero di parte futuro FT-TK31J60W,S1VQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK31J60W,S1VQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(N)
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31J60W,S1VQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK31J60W,S1VQ-FT

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