casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FK3503010L
codice articolo del costruttore | FK3503010L |
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Numero di parte futuro | FT-FK3503010L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FK3503010L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2-B |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK3503010L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FK3503010L-FT |
HAT2279H-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0301DPB-02#J0
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Renesas Electronics America
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel