casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTM867270LBF
codice articolo del costruttore | MTM867270LBF |
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Numero di parte futuro | FT-MTM867270LBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM867270LBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSSMini6-F1 |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM867270LBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM867270LBF-FT |
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2175H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2266H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2267H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2279H-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0301DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0328DPB-01#J0
Renesas Electronics America
RJK0330DPB-01#J0
Renesas Electronics America
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel