casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTM861270LBF
codice articolo del costruttore | MTM861270LBF |
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Numero di parte futuro | FT-MTM861270LBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM861270LBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSSMini6-F1 |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM861270LBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM861270LBF-FT |
HAT2171H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2175H-EL-E
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HAT2266H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2267H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2279H-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0301DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics America
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel