casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK1374G0L
codice articolo del costruttore | 2SK1374G0L |
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Numero di parte futuro | FT-2SK1374G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK1374G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 Ohm @ 10mA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5pF @ 5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1374G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK1374G0L-FT |
RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0328DPB-01#J0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
RJK0652DPB-00#J5
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
A3PE600-1PQG208I
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