casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD08P06-155L-T4E3
codice articolo del costruttore | SUD08P06-155L-T4E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SUD08P06-155L-T4E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD08P06-155L-T4E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD08P06-155L-T4E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD08P06-155L-T4E3-FT |
SI8406DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI3447CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8407DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8416DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8441DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8447DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8451DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel