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Vishay Siliconix SI8441DB-T2-E1

Name: SI8441DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8441DB-T2-E1
Price: 0.4928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (469 reviews)

Numero parte MFG: SI8441DB-T2-E1

quantità disponibile: 77830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.4928

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SI8441DB-T2-E1.pdf

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SI8441DB-T2-E1 specificazioni

codice articolo del costruttore	SI8441DB-T2-E1
Numero di parte futuro	FT-SI8441DB-T2-E1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI8441DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Vgs (massimo)	±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacchetto / caso	6-UFBGA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8441DB-T2-E1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SI8441DB-T2-E1-FT

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