casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8406DB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8406DB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8406DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8406DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Pacchetto / caso | 6-UFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8406DB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8406DB-T2-E1-FT |
2N6661JTXL02
Vishay Siliconix
2N6661JTXP02
Vishay Siliconix
2N6661JTXV02
Vishay Siliconix
VP0808B
Vishay Siliconix
VP0808B-2
Vishay Siliconix
VP0808B-E3
Vishay Siliconix
VP1008B
Vishay Siliconix
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel