casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8499DB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8499DB-T2-E1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI8499DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8499DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Pacchetto / caso | 6-UFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8499DB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8499DB-T2-E1-FT |
SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR610DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR638DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQS407ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel