casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8407DB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8407DB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8407DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8407DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.47W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (2.4x2) |
Pacchetto / caso | 6-MICRO FOOT®CSP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8407DB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8407DB-T2-E1-FT |
VP0808B
Vishay Siliconix
VP0808B-2
Vishay Siliconix
VP0808B-E3
Vishay Siliconix
VP1008B
Vishay Siliconix
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel