casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP17NF25
codice articolo del costruttore | STP17NF25 |
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Numero di parte futuro | FT-STP17NF25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ II |
STP17NF25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP17NF25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP17NF25-FT |
STL4P3LLH6
STMicroelectronics
STL6N3LLH6
STMicroelectronics
STL6N2VH5
STMicroelectronics
STL4P2UH7
STMicroelectronics
STH250N6F3-6
STMicroelectronics
STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
STQ1NK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ2NK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ1HN60K3-AP
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel