casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL6N2VH5
codice articolo del costruttore | STL6N2VH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL6N2VH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STL6N2VH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL6N2VH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL6N2VH5-FT |
STL11N65M5
STMicroelectronics
STL12HN65M2
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STL12N60M2
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STL13N60M2
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STL15N60M2-EP
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A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel