casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STQ1NK60ZR-AP
codice articolo del costruttore | STQ1NK60ZR-AP |
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Numero di parte futuro | FT-STQ1NK60ZR-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STQ1NK60ZR-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 400mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 94pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STQ1NK60ZR-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STQ1NK60ZR-AP-FT |
STL13N60DM2
STMicroelectronics
STL13N60M2
STMicroelectronics
STL13N65M2
STMicroelectronics
STL15N60M2-EP
STMicroelectronics
STL15N65M5
STMicroelectronics
STL16N60M2
STMicroelectronics
STL16N60M6
STMicroelectronics
STL16N65M2
STMicroelectronics
STL18N65M2
STMicroelectronics
STL2N80K5
STMicroelectronics
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel