casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STQ1NK80ZR-AP
codice articolo del costruttore | STQ1NK80ZR-AP |
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Numero di parte futuro | FT-STQ1NK80ZR-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STQ1NK80ZR-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STQ1NK80ZR-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STQ1NK80ZR-AP-FT |
STL12N65M2
STMicroelectronics
STL13N60DM2
STMicroelectronics
STL13N60M2
STMicroelectronics
STL13N65M2
STMicroelectronics
STL15N60M2-EP
STMicroelectronics
STL15N65M5
STMicroelectronics
STL16N60M2
STMicroelectronics
STL16N60M6
STMicroelectronics
STL16N65M2
STMicroelectronics
STL18N65M2
STMicroelectronics
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation