casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STQ2NK60ZR-AP
codice articolo del costruttore | STQ2NK60ZR-AP |
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Numero di parte futuro | FT-STQ2NK60ZR-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STQ2NK60ZR-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STQ2NK60ZR-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STQ2NK60ZR-AP-FT |
STL13N65M2
STMicroelectronics
STL15N60M2-EP
STMicroelectronics
STL15N65M5
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STL16N60M2
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STL16N60M6
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STL16N65M2
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STL18N65M2
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STL2N80K5
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STL45N65M5
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STL4N80K5
STMicroelectronics
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
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