casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGF10NB60SD
codice articolo del costruttore | STGF10NB60SD |
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Numero di parte futuro | FT-STGF10NB60SD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGF10NB60SD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 23A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 25W |
Cambiare energia | 600µJ (on), 5mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 33nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 700ns/1.2µs |
Condizione di test | 480V, 10A, 1 kOhm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 37ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGF10NB60SD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGF10NB60SD-FT |
STGW60V60F
STMicroelectronics
STGWT40V60DF
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STGW45HF60WD
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STGW20IH125DF
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STGWT60V60DF
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XC7A35T-1FTG256I
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