casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGW40NC60V
codice articolo del costruttore | STGW40NC60V |
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Numero di parte futuro | FT-STGW40NC60V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGW40NC60V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 260W |
Cambiare energia | 330µJ (on), 720µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 214nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 43ns/140ns |
Condizione di test | 390V, 40A, 3.3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW40NC60V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGW40NC60V-FT |
IRGS8B60KPBF
Infineon Technologies
IRGS8B60KTRLPBF
Infineon Technologies
SGB02N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB02N60ATMA1
Infineon Technologies
SGB06N60ATMA1
Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB10N60AATMA1
Infineon Technologies
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB15N60ATMA1
Infineon Technologies
SGB15N60HSATMA1
Infineon Technologies
M1AGL600V2-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
EP4CE30F23C6
Intel
5SGXMA7N2F45C2LN
Intel
A54SX32A-TQG100A
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27I1SG
Intel
EP20K100QC208-3
Intel