casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGWA40M120DF3
codice articolo del costruttore | STGWA40M120DF3 |
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Numero di parte futuro | FT-STGWA40M120DF3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGWA40M120DF3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 468W |
Cambiare energia | 1.03mJ (on), 480µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 125nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/140ns |
Condizione di test | 600V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 355ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWA40M120DF3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGWA40M120DF3-FT |
SGB06N60ATMA1
Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB10N60AATMA1
Infineon Technologies
SGB15N120ATMA1
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SGB15N60ATMA1
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SGB15N60HSATMA1
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SGB20N60ATMA1
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SGB30N60ATMA1
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SKB02N120ATMA1
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SKB02N60ATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-1VQ80
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A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7N
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EP4SGX180KF40C2N
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5SGSED8K2F40I2LN
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5SGSMD4K1F40C2N
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XC7K420T-1FFG901I
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XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation