casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGWT60V60DF
codice articolo del costruttore | STGWT60V60DF |
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Numero di parte futuro | FT-STGWT60V60DF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGWT60V60DF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 375W |
Cambiare energia | 750µJ (on), 550µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 334nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 60ns/208ns |
Condizione di test | 400V, 60A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 74ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWT60V60DF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGWT60V60DF-FT |
SGB07N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB10N60AATMA1
Infineon Technologies
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB15N60ATMA1
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SGB15N60HSATMA1
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SGB20N60ATMA1
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SGB30N60ATMA1
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SKB02N120ATMA1
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SKB02N60ATMA1
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SKB02N60E3266ATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-1VQ80
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A42MX09-1VQ100M
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EP4CGX30CF23I7N
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EP4SGX180KF40C2N
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5SGSED8K2F40I2LN
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5SGSMD4K1F40C2N
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XC4VLX40-10FF1148C
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XC7K420T-1FFG901I
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XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation