casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGWT40V60DF
codice articolo del costruttore | STGWT40V60DF |
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Numero di parte futuro | FT-STGWT40V60DF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGWT40V60DF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 283W |
Cambiare energia | 456µJ (on), 411µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 226nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 52ns/208ns |
Condizione di test | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 41ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWT40V60DF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGWT40V60DF-FT |
IRGS6B60KDTRRP
Infineon Technologies
IRGS6B60KPBF
Infineon Technologies
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
IRGS8B60KPBF
Infineon Technologies
IRGS8B60KTRLPBF
Infineon Technologies
SGB02N120ATMA1
Infineon Technologies
SGB02N60ATMA1
Infineon Technologies
SGB06N60ATMA1
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SGB07N120ATMA1
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SGB10N60AATMA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel