casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB80NF55-06-1
codice articolo del costruttore | STB80NF55-06-1 |
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Numero di parte futuro | FT-STB80NF55-06-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ II |
STB80NF55-06-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 189nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB80NF55-06-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB80NF55-06-1-FT |
CSD17318Q2
Texas Instruments
CSD17571Q2
Texas Instruments
CSD17318Q2T
Texas Instruments
CSD13202Q2
Texas Instruments
CSD23202W10T
Texas Instruments
CSD13302W
Texas Instruments
CSD13201W10
Texas Instruments
CSD23202W10
Texas Instruments
CSD25213W10
Texas Instruments
CSD13302WT
Texas Instruments
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel