casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD13302W
codice articolo del costruttore | CSD13302W |
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Numero di parte futuro | FT-CSD13302W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD13302W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD13302W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD13302W-FT |
CSD18503Q5AT
Texas Instruments
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CSD18532NQ5BT
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Texas Instruments
CSD17307Q5A
Texas Instruments
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel