casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD17318Q2
codice articolo del costruttore | CSD17318Q2 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD17318Q2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD17318Q2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.1 mOhm @ 8A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 16W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD17318Q2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD17318Q2-FT |
CSD18533Q5AT
Texas Instruments
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Texas Instruments
CSD16322Q5
Texas Instruments
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel