casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD25213W10
codice articolo del costruttore | CSD25213W10 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD25213W10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25213W10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25213W10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD25213W10-FT |
CSD16321Q5
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